關(guān)于負載開關(guān)ON時得浪涌電流

負載開關(guān)Q1導通瞬間會暫時流過比穩(wěn)態(tài)電流大得多得電流。輸出側(cè)得負載容量CL得電荷接近零時，向輸出VO施加電壓得瞬間會流過大充電電流。

這種流過大電流得現(xiàn)象稱作浪涌電流（Flash Current）。

浪涌電流得峰值大體可以通過輸入電壓VI、MOSFET Q1得RDS(on)和負載側(cè)負載容量CL得ESR確定，輸入電壓VIN變大時，電流也相應變大。

浪涌電流顯著變大時，有可能會引起誤動作和系統(tǒng)問題。

而且，在超過蕞大額定電流時，有導致破壞得危險。通過與MOSFET Q1得柵極、源極間電阻R1并聯(lián)追加電容器C2， 并緩慢降低Q1得柵極電壓，可以緩慢地使RDS(on)變小，從而可以抑制浪涌電流。

■負載開關(guān)等效電路圖

關(guān)于Nch MOSFET負載開關(guān)ON時得浪涌電流應對措施

■Nch MOSFET負載開關(guān)等效電路圖

Nch MOSFET 負載開關(guān)：RSQ020N03

VIN=5V, IO=1A, Q1_1G=1V→12V

Q2 OFF時，負載SWQ1 ON。（Q1得柵極電壓設定在VO(VGSQ1)之上。）

Q2 ON時，負載SWQ1 OFF。

Q1 ON時，由于會流過浪涌電流，所以作為應對措施追加C2。

關(guān)于負載開關(guān)OFF時得逆電流

即使在負載開關(guān)Q1從ON到OFF時，由于存在輸出側(cè)負載容量CL，所以輸出VO引腳得電壓會殘留一定時間。

輸入VI側(cè)比輸出VO側(cè)電壓低時，由于MOSFET Q1得漏極、源極間存在寄生二極管，所以有時寄生二極管導通會發(fā)生從輸出VO側(cè)到輸入VIN側(cè)得逆電流。

要注意，不要超過MOSFET Q1得額定電流值。

關(guān)于輸入旁路電容器CIN得容量值，請在充分探討負載側(cè)條件、上升時間后再決定。

■負載開關(guān)等效電路圖

近日：ROHM

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