設(shè)備名稱：高密度等離子蝕刻設(shè)備

商品編號 : 1DRYsam-rie-Q8470

制造商：samco

型號: RIE-200iP

年份：2001年

設(shè)備尺寸(W × D × H): 1,000 × 1,375 × 1,665mm

特　長：

1、トルネードICP　の採用により、安定した高密度プラズマを効率よく発生させることができ、高い選択比と高精度で均一性のよいエッチングが可能

2、低バイアス（-100V以下）での低ダメージプロセスが可能

3、基板ステージおよび反応室內(nèi)側(cè)壁の溫度制御により、安定した條件でのエッチングが可能

4、塩素系ガスにも対応可能

5、過去、國內(nèi)國外計100臺以上の納入実績

応用例：

1、GaN、GaAsなどの化合物半導(dǎo)體のエッチング

2、超LSIプロセスでのSi薄膜の異方性エッチング

3、各種金屬薄膜のエッチング

オプション：

1、ガス導(dǎo)入系増設(shè)

2、オイルフィルトレーション

3、エンドポイントディテクター

4、　排ガス処理裝置

ユーティリティー：

1、プロセスガス：0.1MPa（G）

2、Heガス：0.1MPa（G）

3、N2ガス：0.1MPa（G）

4、圧 縮 空 気：0.5～0.7MPa（G）

5、冷 卻 水：3～4Ｌ/min

6、電 源：AC200V 3φ 75A

7、ア ー ス：D種接地

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